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[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201010530388.8无效
发明人：盛况;崔京京;郭清 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，它的底部为集电极，向上依次集成集电区、缓冲层、漂移区、P阱区和发射区。发射区顶部覆盖有发射极，栅极9横跨在发射区、P阱区和漂移区之上，栅极处在多晶硅之中。SiO2绝缘层横向穿入漂移区或同时横向穿入P阱区和漂移区。本发明在普通绝缘栅双极晶体管的基础上，器件内部加入一层SiO2绝缘层，实现了在不损失绝缘栅双极晶体管关断电压的情况下降低通态压降，有效减少绝缘栅双极晶体管的通态电阻，使得绝缘栅双极晶体管导通损耗更小，本发明工业生产中工艺也并不复杂，相比于其他降低绝缘栅双极晶体管通态损耗的技术，更能节约生产成本，即以相对较低的成本提升绝缘栅双极晶体管的工作性能。
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201110225181.4有效
发明人：王颢 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的多个埋层本发明的绝缘栅双极晶体管的基区有利于降低绝缘栅双极晶体管的导通电阻，进而降低饱和导通压降和降低导通功耗，增强集电极电流，提高器件的负载能力。
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201110225680.3有效
发明人：王颢 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述半导体衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的埋层本发明的绝缘栅双极晶体管有利于降低绝缘栅双极晶体管的导通电阻，进而降低饱和导通压降和降低导通功耗，增强集电极电流，提高器件的负载能力。
绝缘双极晶体管

[实用新型]绝缘栅双极晶体管-CN201120214540.1有效
发明人：赵佳;朱阳军;孙宝刚;卢烁今;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管，由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状，因此，单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞总面积的比值较大，从而使得器件的导通电阻较小；而且，采用正六角形形状或正方形形状作为绝缘栅双极晶体管的元胞结构
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201710250655.8在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明的绝缘栅双极晶体管通过在衬底区域设置高浓度杂质掺杂的P型多晶硅或无定形硅，高浓度杂质掺杂的P型多晶硅或无定形硅包括为背P型发射区和衬底层材料，控制降低N型基区少子的数量，因此本发明实现在厚衬底片，抑制调节宽禁带半导体材料绝缘栅双极晶体管背部P型发射区的少子注入，优化器件开关性能。
绝缘栅双极晶体管高浓度杂质无定形硅掺杂的少子宽禁带半导体材料衬底区域开关性能优化器件衬底层衬底片

[发明专利]一种半桥改进型MMC子模块拓扑结构及其控制方法-CN202111193496.5有效
发明人：王辉;张涛;郭柏 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本公开提出了一种半桥改进型MMC子模块拓扑结构及其控制方法，包括第一绝缘栅双极晶体管、集电极与所述第一绝缘栅双极晶体管发射极连接的第二绝缘栅双极晶体管、发射极与所述第二绝缘栅双极晶体管发射极连接的第三绝缘栅双极晶体管、集电极与所述第三绝缘栅双极晶体管集电极连接的第四绝缘栅双极晶体管以及负极与所述第四绝缘栅双极晶体管发射极连接的电容；所述电容的正极与所述第一绝缘栅双极晶体管集电极连接，所述电容和所述第一绝缘栅双极晶体管串联支路上并联有第五二极管，所述电容和所述第四绝缘栅双极晶体管串联支路上并联有第六二极管；在系统反应故障阶段，可以阻断交流系统向短路点的馈能通路，实现直流故障穿越。
一种改进型 mmc 模块拓扑结构及其控制方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN200910179034.0无效
发明人：伊藤将之 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)，所述绝缘栅双极晶体管占据小面积并且抑制热击穿。IGBT包括：n型半导体层(3)；以及集电极部，该集电极部形成在n型半导体层(3)的表面部分中。
绝缘双极晶体管

[发明专利]一种小功率D类音频放大器的驱动电路-CN201310585458.3在审
发明人：潘艳;李尚书;陈勇 -专利权人：四川蓉汇达信息科技有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H03F3/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种小功率D类音频放大器的驱动电路，其特征在于：包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一电容～第三电容、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管和第四N沟道绝缘栅双极晶体管构成延时电路本发明所述一种小功率D类音频放大器的驱动电路，关断功率开关管的时间较短，引起失真小。该驱动电路的驱动能力较强，灵敏度高，能迅速关断功率开关管保护放大器。
一种功率音频放大器驱动电路

[实用新型]一种小功率D类音频放大器的驱动电路-CN201320735592.2有效
发明人：潘艳;李尚书;陈勇 -专利权人：四川蓉汇达信息科技有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H03F3/217 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小功率D类音频放大器的驱动电路，其特征在于：包括第一反相器～第七反相器、第一与非门、第二与非门、第一电容～第三电容、第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管～第四N沟道绝缘栅双极晶体管、电感和直流电源，第一P沟道绝缘栅双极晶体管、第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管和第四N沟道绝缘栅双极晶体管构成延时电路本实用新型所述一种小功率D类音频放大器的驱动电路，关断功率开关管的时间较短，引起失真小。该驱动电路的驱动能力较强，灵敏度高，能迅速关断功率开关管保护放大器。
一种功率音频放大器驱动电路

[发明专利]一种光伏直流汇集站双极短路保护装置及方法-CN202210512100.7在审
发明人：高晨;冯汝明;王宇强;韩韬;乌小茜;钟鸣 -专利权人：内蒙古电力（集团）有限责任公司内蒙古电力科学研究院分公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏直流汇集站双极短路保护装置及方法，在中央监控单元接收光伏直流汇集站直流母线出现的双极短路保护信号时，中央监控单元发送控制信号导通第二绝缘栅双极晶体管和第五绝缘栅双极晶体管，发送控制信号关断第一绝缘栅双极晶体管、第三绝缘栅双极晶体管和第四绝缘栅双极晶体管；当电感两侧电压值及流过电感的电流值都为零时，中央监控单元发送控制信号导通第一绝缘栅双极晶体管、第四绝缘栅双极晶体管和第五绝缘栅双极晶体管，发送控制信号关断第二绝缘栅双极晶体管、第三绝缘栅双极晶体管，当电感两侧的电压值为零时电感释放能量结束。
一种直流汇集站双极短路保护装置方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201510247679.9有效
发明人： R.巴布尔斯克;F.J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;V.范特里克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：绝缘栅双极晶体管。根据本发明的一个示例，半导体部件包括半导体本体，其具有顶表面和底表面。第一pn结形成在体区和漂移区之间的过渡处。场截止区被布置在漂移区下面并邻接漂移区。
漂移区半导体层掺杂剂掺杂类型截止区绝缘栅双极晶体管半导体本体掺杂邻接顶表面垂直电流路径半导体部件基本平行过渡处结构化体区开口并用邻近延伸

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN202080077723.5有效
发明人： F·乌德雷亚;M·安东尼奥;N·洛菲蒂斯;C·科瓦斯塞;L·德-米奇伊里斯;U·维穆拉帕蒂;U·巴斯图恩;M·拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了一种绝缘栅双极晶体管，其至少包括以下层：第一导电类型的源极层；第二导电类型的基极层，其中，源极层和基极层电接触源极电极；第一导电类型的漂移层；以及第二导电类型的集电极层，其布置在漂移层和集电极电极之间并且电接触集电极电极绝缘栅双极晶体管进一步包括至少两个沟槽栅极电极和至少一个沟槽肖特基电极，并且第二导电类型的收集区域布置在这些电极的底部处。收集区域位于漂移层中并通过漂移层彼此横向地分开。
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201811178890.X有效
发明人： C.科瓦西;A.科普塔;M.安登纳;M.拉希莫 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：晶体管包括在两个相邻的第一单元（1、1'）的沟槽栅极电极（7、7'）之间的至少一个第二单元（15），其在发射极侧（90）上具有p+掺杂阱（8）和将阱（8）与相邻的沟槽栅极电极（7、7'）分开的另外的n掺杂增强层绝缘体层堆（75）被布置在发射极侧（90）上在第二单元（15）的顶部上。
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN201210450970.2无效
发明人：宋寅赫;朴在勋;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种绝缘栅双极晶体管，该晶体管包括：有源区，该有源区包括栅极电极、第一发射极金属层、第一阱区和一部分的第三阱区；截止区，该截止区包括支持耗尽层扩散的第二阱区；以及位于所述有源区和所述截止区之间的连接区
绝缘双极晶体管

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN96123089.4无效
发明人：吴侊勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-12-05 - 公布日： 2001-11-28 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：本发明的绝缘栅双极晶体管具有第一和第二发射区。在第二导电类型的第一发射区内形成第一导电类型的扩散区。第二发射区具有其浓度高于第二发射区的其余部位的区。
绝缘双极晶体管

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